TPN1110ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage 配給業者
| 製造業者識別番号 | TPN1110ENH,L1Q |
|---|---|
| メーカー/ブランド | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 在庫数量 | 60040 個 |
| 単価 | メールで引用 (sales@qic.jp) |
| 簡単な説明 | MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 耐湿性レベル（MSL） | 1 (無制限) |
| 納期 | 1〜2日 |
| 生産年 (DC) | 最新 |
| データシートダウンロード | TPN1110ENH,L1Q.pdf |
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- 品番
- TPN1110ENH,L1Q
- 生産状況（ライフサイクル）
- お問い合わせ
- 生産時間
- 4-8週間
- 状態
- 新規および未使用、純正品
- 発送方法
- 佐川急便、日本通運、DHL、FEDEX、Normal Post
- 部品ステータス
- 生産中
- FETタイプ
- N-Channel
- 技術
- MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン - ソース間電圧（Vdss）
- 200V
- 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
- 7.2A (Ta)
- Drive 電圧 (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On（Max）@ Id、Vgs
- 114 mOhm @ 3.6A, 10V
- Vgs（th）（Max）@ Id
- 4V @ 200µA
- ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs
- 7nC @ 10V
- Vgs（最大）
- ±20V
- 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
- 600pF @ 100V
- FET機能
-
- 消費電力（最大）
- 700mW (Ta), 39W (Tc)
- 動作温度
- 150°C (TJ)
- 取付タイプ
- SMD Surface Mount
- サプライヤデバイスパッケージ
- 8-TSON Advance (3.3x3.3)
- パッケージ/ケース
- 8-PowerVDFN
- 重量
- お問い合わせ
- 応用
- メールで送ってください: sales@qic.jp
- 代替部品番号
- TPN1110ENH,L1Q
によって作られた関連部品 Toshiba Semiconductor and Storage
関連キーワード "TPN1"
| 品番 | メーカー | 説明 |
|---|---|---|
| TPN101A | ATMEL / MICROCHIP | TPN101A ATMEL SOP28 |
| TPN11003NL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV |
| TPN11006NL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON |
| TPN1110ENH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON |
| TPN120N | STMicroelectronics | TPN120N STM IC SOP-8 |
| TPN13008NH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 80V 40A 8TSON |
| TPN14006NH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV |
| TPN1600ANH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV |
| TPN1R603PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR |