TPC8A06-H(TE12LQM) Toshiba Semiconductor and Storage 配給業者
| 製造業者識別番号 | TPC8A06-H(TE12LQM) |
|---|---|
| メーカー/ブランド | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 在庫数量 | 15830 個 |
| 単価 | メールで引用 (sales@qic.jp) |
| 簡単な説明 | MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 耐湿性レベル（MSL） | 1 (無制限) |
| 納期 | 1〜2日 |
| 生産年 (DC) | 最新 |
| データシートダウンロード | TPC8A06-H(TE12LQM).pdf |
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- 品番
- TPC8A06-H(TE12LQM)
- 生産状況（ライフサイクル）
- お問い合わせ
- 生産時間
- 4-8週間
- 状態
- 新規および未使用、純正品
- 発送方法
- 佐川急便、日本通運、DHL、FEDEX、Normal Post
- 部品ステータス
- 廃止
- FETタイプ
- N-Channel
- 技術
- MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン - ソース間電圧（Vdss）
- 30V
- 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
- 12A (Ta)
- Drive 電圧 (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On（Max）@ Id、Vgs
- 10.1 mOhm @ 6A, 10V
- Vgs（th）（Max）@ Id
- 2.3V @ 1mA
- ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs
- 19nC @ 10V
- Vgs（最大）
- ±20V
- 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
- 1800pF @ 10V
- FET機能
- Schottky Diode (Body)
- 消費電力（最大）
-
- 動作温度
-
- 取付タイプ
- SMD Surface Mount
- サプライヤデバイスパッケージ
- 8-SOP (5.5x6.0)
- パッケージ/ケース
- 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
- 重量
- お問い合わせ
- 応用
- メールで送ってください: sales@qic.jp
- 代替部品番号
- TPC8A06-H(TE12LQM)
によって作られた関連部品 Toshiba Semiconductor and Storage
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関連キーワード "TPC8A0"
| 品番 | メーカー | 説明 |
|---|---|---|
| TPC8A02-H(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 16A SOP8 2-6J1B |
| TPC8A05-H(TE12L,QM | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP |
| TPC8A06-H(TE12LQM) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP |