TK39J60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage 配給業者
製造業者識別番号 | TK39J60W,S1VQ |
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メーカー/ブランド | Toshiba Semiconductor and Storage |
在庫数量 | 79630 個 |
単価 | メールで引用 (sales@qic.jp) |
簡単な説明 | MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P |
製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
耐湿性レベル(MSL) | 1 (無制限) |
納期 | 1〜2日 |
生産年 (DC) | 最新 |
データシートダウンロード | TK39J60W,S1VQ.pdf |
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- 品番
- TK39J60W,S1VQ
- 生産状況(ライフサイクル)
- お問い合わせ
- 生産時間
- 4-8週間
- 状態
- 新規および未使用、純正品
- 発送方法
- 佐川急便、日本通運、DHL、FEDEX、Normal Post
- 部品ステータス
- 生産中
- FETタイプ
- N-Channel
- 技術
- MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン - ソース間電圧(Vdss)
- 600V
- 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id)
- 38.8A (Ta)
- Drive 電圧 (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On(Max)@ Id、Vgs
- 65 mOhm @ 19.4A, 10V
- Vgs(th)(Max)@ Id
- 3.7V @ 1.9mA
- ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs
- 110nC @ 10V
- Vgs(最大)
- ±30V
- 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds
- 4100pF @ 300V
- FET機能
- Super Junction
- 消費電力(最大)
- 270W (Tc)
- 動作温度
- 150°C (TJ)
- 取付タイプ
- Through Hole
- サプライヤデバイスパッケージ
- TO-3P(N)
- パッケージ/ケース
- TO-3P-3, SC-65-3
- 重量
- お問い合わせ
- 応用
- メールで送ってください: sales@qic.jp
- 代替部品番号
- TK39J60W,S1VQ
によって作られた関連部品 Toshiba Semiconductor and Storage
関連キーワード "TK39"
品番 | メーカー | 説明 |
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TK39A60W,S4VX | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 39A TO220-3 |
TK39J60W,S1VQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P |
TK39J60W5,S1VQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 600V 38.8A TO-3P(N) |
TK39N60W,S1VF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 600V 38.8A TO247 |
TK39N60W5,S1VF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 38.8A T0247 |
TK39N60X,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-247 |