RN2710JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 配給業者
| 製造業者識別番号 | RN2710JE(TE85L,F) |
|---|---|
| メーカー/ブランド | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 在庫数量 | 88720 個 |
| 単価 | メールで引用 (sales@qic.jp) |
| 簡単な説明 | TRANSISTOR 2PNP PREBIAS 0.1W ESV |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - バイポーラ（BJT） - アレイ、プリバイアス |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 耐湿性レベル（MSL） | 1 (無制限) |
| 納期 | 1〜2日 |
| 生産年 (DC) | 最新 |
| データシートダウンロード | RN2710JE(TE85L,F).pdf |
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- 品番
- RN2710JE(TE85L,F)
- 生産状況（ライフサイクル）
- お問い合わせ
- 生産時間
- 4-8週間
- 状態
- 新規および未使用、純正品
- 発送方法
- 佐川急便、日本通運、DHL、FEDEX、Normal Post
- 部品ステータス
- 生産中
- トランジスタタイプ
- 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
- 電流 - コレクタ（Ic）（最大）
- 100mA
- 電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大）
- 50V
- Resistor - Base (R1)
- 4.7 kOhms
- Resistor - Emitter Base (R2)
-
- DC電流利得（hFE）（最小）@ Ic、Vce
- 120 @ 1mA, 5V
- Vce飽和（最大）@Ib、Ic
- 300mV @ 250µA, 5mA
- 電流 - コレクタ遮断（最大）
- 100nA (ICBO)
- 周波数 - 遷移
- 200MHz
- 電力 - 最大
- 100mW
- 取付タイプ
- SMD Surface Mount
- パッケージ/ケース
- SOT-553
- サプライヤデバイスパッケージ
- ESV
- 重量
- お問い合わせ
- 応用
- メールで送ってください: sales@qic.jp
- 代替部品番号
- RN2710JE(TE85L,F)
によって作られた関連部品 Toshiba Semiconductor and Storage
関連キーワード "RN271"
| 品番 | メーカー | 説明 |
|---|---|---|
| RN2710JE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR 2PNP PREBIAS 0.1W ESV |
| RN2711(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR 2PNP PREBIAS 0.2W USV |
| RN2711JE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR 2PNP PREBIAS 0.1W ESV |
| RN2712JE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR 2PNP PREBIAS 0.1W ESV |
| RN2713JE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR 2PNP PREBIAS 0.1W ESV |