IPB083N10N3GATMA1 Infineon Technologies 配給業者
| 製造業者識別番号 | IPB083N10N3GATMA1 |
|---|---|
| メーカー/ブランド | Infineon Technologies |
| 在庫数量 | 17120 個 |
| 単価 | メールで引用 (sales@qic.jp) |
| 簡単な説明 | MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3 |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 耐湿性レベル（MSL） | 1 (無制限) |
| 納期 | 1〜2日 |
| 生産年 (DC) | 最新 |
| データシートダウンロード | IPB083N10N3GATMA1.pdf |
下記のお問い合わせフォームに記入してください、私たちはあなたに見積もりを返信します IPB083N10N3GATMA1 24時間以内に。
- 品番
- IPB083N10N3GATMA1
- 生産状況（ライフサイクル）
- お問い合わせ
- 生産時間
- 4-8週間
- 状態
- 新規および未使用、純正品
- 発送方法
- 佐川急便、日本通運、DHL、FEDEX、Normal Post
- 部品ステータス
- 生産中
- FETタイプ
- N-Channel
- 技術
- MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン - ソース間電圧（Vdss）
- 100V
- 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
- 80A (Tc)
- Drive 電圧 (Max Rds On, Min Rds On)
- 6V, 10V
- Rds On（Max）@ Id、Vgs
- 8.3 mOhm @ 73A, 10V
- Vgs（th）（Max）@ Id
- 3.5V @ 75µA
- ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs
- 55nC @ 10V
- Vgs（最大）
- ±20V
- 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
- 3980pF @ 50V
- FET機能
-
- 消費電力（最大）
- 125W (Tc)
- 動作温度
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- 取付タイプ
- SMD Surface Mount
- サプライヤデバイスパッケージ
- D²PAK (TO-263AB)
- パッケージ/ケース
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 重量
- お問い合わせ
- 応用
- メールで送ってください: sales@qic.jp
- 代替部品番号
- IPB083N10N3GATMA1
によって作られた関連部品 Infineon Technologies
関連キーワード "IPB08"
| 品番 | メーカー | 説明 |
|---|---|---|
| IPB080N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3 |
| IPB080N06N G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 80A TO-263 |
| IPB081N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3 |
| IPB083N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3 |
| IPB083N15N5LFATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 105A TO263-3 |
| IPB085N06L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 80A TO-263 |
| IPB08CN10N G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 95A TO263-3 |
| IPB08CNE8N G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 85V 95A TO263-3 |