DF200R12KE3HOSA1 Infineon Technologies 配給業者
| 製造業者識別番号 | DF200R12KE3HOSA1 |
|---|---|
| メーカー/ブランド | Infineon Technologies |
| 在庫数量 | 22410 個 |
| 単価 | メールで引用 (sales@qic.jp) |
| 簡単な説明 | IGBT MODULE VCES 1200V 200A |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - IGBT - モジュール |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 耐湿性レベル（MSL） | 1 (無制限) |
| 納期 | 1〜2日 |
| 生産年 (DC) | 最新 |
| データシートダウンロード | DF200R12KE3HOSA1.pdf |
下記のお問い合わせフォームに記入してください、私たちはあなたに見積もりを返信します DF200R12KE3HOSA1 24時間以内に。
- 品番
- DF200R12KE3HOSA1
- 生産状況（ライフサイクル）
- お問い合わせ
- 生産時間
- 4-8週間
- 状態
- 新規および未使用、純正品
- 発送方法
- 佐川急便、日本通運、DHL、FEDEX、Normal Post
- 部品ステータス
- 生産中
- IGBTタイプ
-
- 構成
- Single
- 電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大）
- 1200V
- 電流 - コレクタ（Ic）（最大）
-
- 電力 - 最大
- 1040W
- Vce（on）（Max）@ Vge、Ic
- 2.15V @ 15V, 200A
- 電流 - コレクタ遮断（最大）
- 5mA
- 入力容量（Cies）@ Vce
- 14nF @ 25V
- 入力
- Standard
- NTCサーミスタ
- No
- 動作温度
- -40°C ~ 125°C
- 取付タイプ
- Chassis Mount
- パッケージ/ケース
- Module
- サプライヤデバイスパッケージ
- Module
- 重量
- お問い合わせ
- 応用
- メールで送ってください: sales@qic.jp
- 代替部品番号
- DF200R12KE3HOSA1
によって作られた関連部品 Infineon Technologies
関連キーワード "DF200"
| 品番 | メーカー | 説明 |
|---|---|---|
| DF2005-G | Comchip Technology | RECTIFIER BRIDGE 2.0A 50V DF |
| DF2005S-G | Comchip Technology | RECTIFIER BRIDGE 2.0A 50V DF |
| DF2005ST-G | Comchip Technology | RECTIFIER BRIDGE 2.0A 50V DF |
| DF200R12KE3HOSA1 | Infineon Technologies | IGBT MODULE VCES 1200V 200A |
| DF200R12PT4B6BOSA1 | Infineon Technologies | IGBT MODULE VCES 1200V 200A |
| DF200R12W1H3B27BOMA1 | Infineon Technologies | IGBT MODULE VCES 1200V 200A |
| DF200R12W1H3FB11BOMA1 | Infineon Technologies | MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1 |